MOSFET Infineon canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
TDSON
Séries
OptiMOS™ 3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
69 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance OptiMOS™3 d'Infineon, jusqu'à 40 V
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
MOSFET à commutation rapide pour SMPS
Technologie optimisée pour convertisseurs c.c./c.c.
Homologué selon la norme JEDEC1 pour les applications ciblées
Canal N, niveau logique
Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
Placage compatible sans plomb
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 17,18
€ 0,859 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,859 | € 17,18 |
| 100 - 180 | € 0,662 | € 13,24 |
| 200 - 480 | € 0,636 | € 12,72 |
| 500 - 980 | € 0,61 | € 12,20 |
| 1000+ | € 0,533 | € 10,65 |
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N
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Type de conditionnement
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
5,3 mΩ
Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
2V
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1.2V
Dissipation de puissance maximum
69 W
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Single
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Largeur
6.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
48 nC V @ 10
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Une excellente charge de grille x R DS(on) produit (FOM)
Très faible résistance R DS(on)
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Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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