MOSFET Infineon canal N, SOT-223 350 mA 240 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
350 mA
Tension Drain Source maximum
240 V
Type de conditionnement
SOT-223-5
Séries
SIPMOS®
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
3,8 nC @ 5 V
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N Infineon SIPMOS®
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 2,37
€ 0,474 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,474 | € 2,37 |
| 50 - 120 | € 0,425 | € 2,12 |
| 125 - 245 | € 0,392 | € 1,96 |
| 250 - 495 | € 0,364 | € 1,82 |
| 500+ | € 0,343 | € 1,71 |
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N
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Tension Drain Source maximum
240 V
Type de conditionnement
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Séries
SIPMOS®
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
20 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Taille
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