MOSFET Infineon canal P, SOT-223 1,9 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
1.9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
SIPMOS®
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
300 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.5mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.5mm
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 36,77
€ 0,735 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,735 | € 36,77 |
| 100 - 200 | € 0,544 | € 27,20 |
| 250 - 450 | € 0,507 | € 25,37 |
| 500 - 1200 | € 0,471 | € 23,54 |
| 1250+ | € 0,441 | € 22,05 |
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P
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CMS
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3
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Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
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1
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
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