MOSFET Infineon canal N, SOT-23 17 mA 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
700 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 5 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Séries
SIPMOS
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 mA
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
700 Ω
Mode de canal
Depletion
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 5 V
Largeur
1.3mm
Matériau du transistor
Si
Séries
SIPMOS
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Pays d'origine
China
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.