Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23,8 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolMOS™ P6
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
176 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.57mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.45mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 6,43
€ 3,215 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
€ 6,43
€ 3,215 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,215 | € 6,43 |
10 - 98 | € 2,734 | € 5,47 |
100 - 498 | € 2,358 | € 4,72 |
500 - 998 | € 2,00 | € 4,00 |
1000+ | € 1,848 | € 3,70 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
23,8 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolMOS™ P6
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
176 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.57mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.31mm
Charge de Grille type @ Vgs
44 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.45mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.9V
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.