MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 3,9 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.9 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
CoolMOS™ CE
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.4 Ω
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
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€ 1 182,56
€ 0,473 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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