Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ -T2
Type de conditionnement
I2PAK (TO-262)
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.0067 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 5,75
€ 0,575 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Standard
10
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
OptiMOS™ -T2
Type de conditionnement
I2PAK (TO-262)
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0.0067 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si