MOSFET Infineon canal N, HSOF-8 300 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
300 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
OptiMOS™
Type de conditionnement
HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
500 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.58mm
Longueur
10.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
252 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
2.4mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Pas de frais cachés !
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€ 5 041,11
€ 2,521 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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OptiMOS™
Type de conditionnement
HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
500 μΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
0.7V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.58mm
Longueur
10.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
252 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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1V
Hauteur
2.4mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
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MOSFET Transistors, Infineon
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