MOSFET Infineon canal N, HSOF-8 300 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
300 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
HSOF-8
Séries
OptiMOS™ 5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.1mm
Longueur
10.58mm
Charge de Grille type @ Vgs
216 nC @ 10 V
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 6 132,89
€ 3,066 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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1
Largeur
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Longueur
10.58mm
Charge de Grille type @ Vgs
216 nC @ 10 V
Tension directe de la diode
1V
Hauteur
2.4mm
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MOSFET Transistors, Infineon
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