MOSFET Infineon canal N, HSOF-8 300 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
300 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
OptiMOS™ 5
Type de boîtier
HSOF-8
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
1 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.1mm
Longueur
10.58mm
Charge de Grille type @ Vgs
216 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1V
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors de puissance MOSFET OptiMOS™5 d'Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 7 567,78
€ 3,784 Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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8
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1 mΩ
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Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
10.1mm
Longueur
10.58mm
Charge de Grille type @ Vgs
216 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Tension directe de la diode
1V
Taille
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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