MOSFET Infineon canal N, A-247 20 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
CoolMOS™ P6
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
151 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Largeur
5.21mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
0.9V
Taille
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 16,02
€ 3,203 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,203 | € 16,02 |
| 25 - 45 | € 2,562 | € 12,81 |
| 50 - 120 | € 2,37 | € 11,85 |
| 125 - 245 | € 2,21 | € 11,05 |
| 250+ | € 2,051 | € 10,26 |
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N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
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Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3.5V
Dissipation de puissance maximum
151 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Largeur
5.21mm
Charge de Grille type @ Vgs
37 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
0.9V
Taille
21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistors MOSFET de puissance Infineon série CoolMOS™E6/P6
La gamme Infineon de transistors MOSFET série CoolMOS™E6 et P6. Ces dispositifs extrêmement efficaces peuvent être utilisés dans plusieurs applications, y compris la correction du facteur de puissance (PFC), l'éclairage et les appareils grand public, ainsi que l'énergie solaire, les télécommunications et les serveurs.
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