Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de boîtier
DirectFET isométrique
Séries
HEXFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
0,015 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
€ 3 959,13
€ 0,825 Each (On a Reel of 4800) (hors TVA)
4800
€ 3 959,13
€ 0,825 Each (On a Reel of 4800) (hors TVA)
4800
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Type de boîtier
DirectFET isométrique
Séries
HEXFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
7
Résistance Drain Source maximum
0,015 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1