Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
198 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
DirectFET
Type de conditionnement
DirectFET isométrique
Type de montage
CMS
Résistance Drain Source maximum
1,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
96 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.05mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
141 nC @ 20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.53mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 38,10
€ 1,905 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 38,10
€ 1,905 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
20 - 48 | € 1,905 | € 3,81 |
50 - 98 | € 1,777 | € 3,55 |
100 - 198 | € 1,648 | € 3,30 |
200+ | € 1,543 | € 3,09 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
198 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Séries
DirectFET
Type de conditionnement
DirectFET isométrique
Type de montage
CMS
Résistance Drain Source maximum
1,4 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.9V
Tension de seuil minimale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
96 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.05mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
141 nC @ 20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.53mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.