MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 195 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
195 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
StrongIRFET
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
274 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon
La famille StrongIRFET, d'Infineon, est optimisée pour des RDS(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre une meilleure porte, une robustesse dv/dt avalanche et dynamique idéale pour les applications à basse fréquence industrielles, y compris les entraînements de moteur, les outils électriques, les inverseurs et la gestion de batterie, là où performance et robustesse sont essentielles.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 4,33
€ 2,163 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,163 | € 4,33 |
| 20 - 48 | € 1,925 | € 3,85 |
| 50 - 98 | € 1,818 | € 3,64 |
| 100 - 198 | € 1,688 | € 3,38 |
| 200+ | € 1,557 | € 3,11 |
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N
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195 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.7V
Tension de seuil minimale de la grille
2.1V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
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1
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
274 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.83mm
Matériau du transistor
Si
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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MOSFET Transistors, Infineon
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