Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
PQFN
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium
€ 13,14
€ 0,526 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 13,14
€ 0,526 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,526 | € 13,14 |
125 - 225 | € 0,499 | € 12,48 |
250 - 600 | € 0,478 | € 11,96 |
625 - 1225 | € 0,316 | € 7,89 |
1250+ | € 0,252 | € 6,31 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
PQFN
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Mode de canal
Enrichissement
Nombre d'éléments par circuit
2
Matériau du transistor
Silicium