MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 171 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
171 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-220AB
Séries
HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.83mm
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 37,78
€ 0,756 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 37,78
€ 0,756 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,756 | € 37,78 |
| 100 - 200 | € 0,589 | € 29,45 |
| 250 - 450 | € 0,567 | € 28,34 |
| 500 - 1200 | € 0,536 | € 26,81 |
| 1250+ | € 0,476 | € 23,82 |
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HEXFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Tension de seuil minimale de la grille
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±20 V
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.83mm
Taille
16.51mm
Température de fonctionnement minimum
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1V
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