MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 160 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
160 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.35V
Tension de seuil minimale de la grille
1.35V
Dissipation de puissance maximum
135 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
39 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 8,94
€ 0,894 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,894 | € 8,94 |
| 50 - 90 | € 0,85 | € 8,50 |
| 100 - 240 | € 0,815 | € 8,15 |
| 250 - 490 | € 0,778 | € 7,78 |
| 500+ | € 0,725 | € 7,25 |
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Série
HEXFET
Type de conditionnement
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Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.9 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.35V
Tension de seuil minimale de la grille
1.35V
Dissipation de puissance maximum
135 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
39 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1V
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La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
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