MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 270 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
270 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
380000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
91 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Séries
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
4.83mm
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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3
Résistance Drain Source maximum
2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.67mm
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Si
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