Transistor MOSFET International Rectifier canal N, TO-251AA 17 A 55 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de conditionnement
TO-251AA
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
118 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
45 W
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
6.73mm
Largeur
2.39mm
Série
HEXFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
7.49mm
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Prix sur demande
1
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