MOSFET IXYS canal N, A-247 26 A 500 V, 3 broches

N° de stock RS: 194-530Marque: IXYSN° de pièce Mfr: IXFH26N50PDistrelec Article No.: 17131366
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Documents techniques

Spécifications

Brand

IXYS

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

26 A

Tension Drain Source maximum

500 V

Séries

HiperFET, Polar

Type de boîtier

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

230 m Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5.5V

Dissipation de puissance maximum

400 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

60 nC V @ 10

Largeur

5.3mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

16.26mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

21.46mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

Philippines

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 8,35 Each (hors TVA)

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QuantitéPrix unitaire
1 - 4€ 8,35
5 - 9€ 8,18
10 - 14€ 7,93
15 - 19€ 7,85
20+€ 7,76

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Through Hole

Nombre de broche

3

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230 m Ω

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Tension de seuil maximale de la grille

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Tension Grille Source maximum

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Largeur

5.3mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

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Longueur

16.26mm

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Taille

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Température de fonctionnement minimum

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