MOSFET IXYS canal N, A-247 26 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
26 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Séries
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
230 m Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 8,35
€ 8,35 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 8,35 |
| 5 - 9 | € 8,18 |
| 10 - 14 | € 7,93 |
| 15 - 19 | € 7,85 |
| 20+ | € 7,76 |
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N
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TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
230 m Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.5V
Dissipation de puissance maximum
400 W
Configuration du transistor
Single
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±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
21.46mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Philippines
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