MOSFET IXYS canal N, TO-264 48 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
48 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
HiperFET, Q-Class
Type de conditionnement
TO-264
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
6.5V
Dissipation de puissance maximum
1 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.13mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
19.96mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
26.16mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 408,54
€ 16,342 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
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N
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Série
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3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
6.5V
Dissipation de puissance maximum
1 kW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.13mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
19.96mm
Charge de Grille type @ Vgs
140 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
26.16mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
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