MOSFET IXYS canal N, ISOPLUS247 25 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
25 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
HiperFET, Polar
Type de conditionnement
ISOPLUS247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
200 nC @ 10 V
Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
21.34mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 24,48
€ 24,48 Each (hors TVA)
Standard
1
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Dissipation de puissance maximum
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
5.21mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
16.13mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
21.34mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
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