MOSFET IXYS canal N, SMPD 550 A 55 V, 24 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
550 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Type de boîtier
SMPD
Séries
GigaMOS, HiperFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
24
Résistance Drain Source maximum
1.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3.8V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
23.25mm
Longueur
25.25mm
Charge de Grille type @ Vgs
595 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
5.7mm
Pays d'origine
Germany
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 783,72
€ 39,186 Each (In a Tube of 20) (hors TVA)
20
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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1
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Longueur
25.25mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température de fonctionnement minimum
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Tension directe de la diode
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