MOSFET Microchip canal P, TO-92 175 mA 40 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
MicrochipType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
175 mA
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
740 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.06mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.08mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
2V
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex
La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
MOSFET Transistors, Microchip
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€ 55,76
€ 0,558 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
100
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Dissipation de puissance maximum
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Single
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±20 V
Largeur
4.06mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.08mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
2V
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex
La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
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