Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,72 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 3,75
€ 0,038 Each (On a Reel of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 3,75
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Standard
100
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Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
420 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,72 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit