MOSFET Nexperia canal P, SOT-363 160 mA 50 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
160 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
320 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.35mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 4,75
€ 0,158 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
30
€ 4,75
€ 0,158 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
160 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.1V
Tension de seuil minimale de la grille
1.1V
Dissipation de puissance maximum
320 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,26 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.35mm
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.