MOSFET Nexperia canal P, SOT-23 2 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 68,05
€ 0,068 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
1000
€ 68,05
€ 0,068 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
1000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.5V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.