MOSFET Nexperia canal N, TO-220AB 100 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
306 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
16mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 60 à 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
2
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Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.3mm
Charge de Grille type @ Vgs
130 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Température d'utilisation maximum
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Taille
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