Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
Prix sur demande
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25
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ON SemiconductorType de canal
N
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200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
225 mW
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm