MOSFET onsemi canal N, SOT-23 115 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 10,93
€ 0,055 Each (In a Pack of 200) (hors TVA)
Standard
200
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
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