Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
104 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
357 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
Matériau du transistor
Si
Séries
SuperFET II
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Prix sur demande
Standard
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
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Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
37 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
104 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
357 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
63 nC @ 10 V
Largeur
4.82mm
Matériau du transistor
Si
Séries
SuperFET II
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.82mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.