MOSFET onsemi canal N, A-220 17 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
144 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.7mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
16.3mm
Pays d'origine
China
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€ 1 291,95
€ 1,615 Each (In a Tube of 800) (hors TVA)
800
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800
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 1,615 | € 1 291,95 |
| 1600 - 2400 | € 1,369 | € 1 094,96 |
| 3200 - 4800 | € 1,329 | € 1 063,52 |
| 5600+ | € 1,28 | € 1 023,75 |
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N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
144 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.7mm
Longueur
10.67mm
Charge de Grille type @ Vgs
33 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
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