MOSFET onsemi canal N, TO-220F 6,6 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 671-5310Marque: onsemiN° de pièce Mfr: FQPF7N80C
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

6.6 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Séries

QFET

Type d'emballage

TO-220F

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,9 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

56 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.16mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

27 nC @ -10 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Taille

9.19mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 10,63

€ 2,126 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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50 - 95€ 1,833€ 9,16
100 - 495€ 1,589€ 7,94
500 - 995€ 1,396€ 6,98
1000+€ 1,272€ 6,36

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,9 Ω

Mode de canal

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3V

Dissipation de puissance maximum

56 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

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1

Longueur

10.16mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

27 nC @ -10 V

Largeur

4.7mm

Matériau du transistor

Si

Taille

9.19mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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Transistor MOSFET à canal N QFET®, de 6 à 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Les nouveaux transistors MOSFET planaires QFET® de Fairchild Semiconductor utilisent une technologie propriétaire avancée pour offrir de meilleures performances d'exploitation pour une large gamme d'applications : alimentations, correction de facteur de puissance, convertisseurs c.c./c.c., écrans plasma, ballasts d'éclairage et contrôle de mouvement.
Ils offrent une réduction des pertes à l'état passant en abaissant la résistance à l'état passant (RDS(on), et une perte de commutation réduite en abaissant la charge de grille (Qg) et la capacité de sortie (Coss). En utilisant la technologie du processus de pointe QFET®, Fairchild peut offrir un meilleure facteur de mérite que les dispositifs MOSFET planaires concurrents.

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