Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
900 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Séries
NDS352AP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
2.92mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.94mm
€ 387,19
€ 0,129 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 387,19
€ 0,129 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
900 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Séries
NDS352AP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
2.92mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.94mm