MOSFET onsemi canal P, ChipFET 4,1 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
ChipFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
170 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
2.1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
7,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal P, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 14,85
€ 0,594 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
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Si
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