Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
78 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
7,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,18
€ 0,618 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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N
Courant continu de Drain maximum
78 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type d'emballage
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
5
Résistance Drain Source maximum
7,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
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