Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
89 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SO 8 FL
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
66 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 93,74
€ 1,875 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 93,74
€ 1,875 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 95 | € 1,875 | € 9,37 |
100 - 495 | € 1,625 | € 8,12 |
500 - 995 | € 1,428 | € 7,14 |
1000+ | € 1,30 | € 6,50 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
89 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SO 8 FL
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
6,3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
66 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
5.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
33,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit