MOSFET onsemi canal P, SOIC 11,4 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11,4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
19 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal P, 30 V à 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 6,36
€ 0,636 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,636 | € 6,36 |
| 30 - 90 | € 0,487 | € 4,87 |
| 100 - 190 | € 0,389 | € 3,89 |
| 200 - 390 | € 0,378 | € 3,78 |
| 400+ | € 0,37 | € 3,70 |
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P
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Type de conditionnement
SOIC W
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
19 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
29 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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