MOSFET onsemi canal N, SOT-23 2,5 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
730 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,9 nC @ 4,5 V, 3,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 24,08
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
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3V
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730 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,9 nC @ 4,5 V, 3,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
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150 °C
Largeur
1.4mm
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