MOSFET onsemi canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 broches

N° de stock RS: 780-4755PMarque: onsemiN° de pièce Mfr: NTS2101PT1G
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

1.5 A

Tension Drain Source maximum

8 V

Type de boîtier

SOT-323

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

210 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

0.45V

Dissipation de puissance maximum

330 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

6,4 nC @ 5 V

Taille

0.9mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance à canal P, 8 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 22,79

€ 0,228 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET onsemi canal P, SOT-323 1,5 A 8 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 25.

Production -

Disponible en multiples de 25.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

100

Disponible en multiples de 25
100€ 22,79
125€ 28,49
150€ 34,19
175€ 39,89
200€ 45,58
225€ 51,28
250€ 49,38
275€ 54,32
300€ 59,26
325€ 64,20
350€ 69,13
375€ 74,07
400€ 79,01
425€ 83,95
450€ 88,89

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
100 - 225€ 0,228€ 5,70
250 - 475€ 0,198€ 4,94
500 - 975€ 0,173€ 4,32
1000+€ 0,158€ 3,94

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Courant continu de Drain maximum

1.5 A

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8 V

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Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

210 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

0.45V

Dissipation de puissance maximum

330 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

1.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.2mm

Charge de Grille type @ Vgs

6,4 nC @ 5 V

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