Module d'alimentation en carbure de silicium ROHM canal N, C 180 A 1200 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
BSM
Type de conditionnement
c
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.6V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
880 W
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
45.6mm
Longueur
122mm
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Hauteur
17mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 619,40
€ 619,40 Each (hors TVA)
1
€ 619,40
€ 619,40 Each (hors TVA)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 619,40 |
| 2 - 4 | € 603,10 |
| 5 - 9 | € 587,64 |
| 10+ | € 572,95 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
180 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
BSM
Type de conditionnement
c
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
4
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5.6V
Tension de seuil minimale de la grille
2.7V
Dissipation de puissance maximum
880 W
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
45.6mm
Longueur
122mm
Matériau du transistor
SiC
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Hauteur
17mm
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.