MOSFET ROHM canal N, TSMT-3 3,5 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 133-3300PMarque: ROHMN° de pièce Mfr: RQ5E035BNTCL
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3.5 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

RQ5E035BN

Type de boîtier

TSMT-3

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

56 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.8mm

Longueur

3mm

Charge de Grille type @ Vgs

6 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Taille

0.95mm

Détails du produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
250 - 450€ 0,24€ 12,00
500 - 2450€ 0,233€ 11,65
2500 - 4950€ 0,225€ 11,23
5000+€ 0,219€ 10,93

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N

Courant continu de Drain maximum

3.5 A

Tension Drain Source maximum

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Séries

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Type de boîtier

TSMT-3

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

56 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1000 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.8mm

Longueur

3mm

Charge de Grille type @ Vgs

6 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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