Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
RQ5E035BN
Type de boîtier
TSMT-3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
56 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.95mm
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 60,02
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 60,02
€ 0,24 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
250 - 450 | € 0,24 | € 12,00 |
500 - 2450 | € 0,233 | € 11,65 |
2500 - 4950 | € 0,225 | € 11,23 |
5000+ | € 0,219 | € 10,93 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
RQ5E035BN
Type de boîtier
TSMT-3
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
56 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.8mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
0.95mm
Détails du produit