Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-323
Séries
RU1C001UN
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1mm
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Transistors MOSFET canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 9,47
€ 0,063 Each (In a Pack of 150) (hors TVA)
150
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ROHMType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-323
Séries
RU1C001UN
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
18Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Taille
1mm
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit