MOSFET ROHM canal P, SOT-323 200 mA 20 V, 3 broches

N° de stock RS: 124-6835Marque: ROHMN° de pièce Mfr: RU1C002ZPTCL
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

200 mA

Tension Drain Source maximum

20 V (canal N), -20 V (canal P)

Séries

RU1C002ZP

Type de boîtier

SOT-323

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

9,6 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

0.3V

Dissipation de puissance maximum

0,15 W

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Largeur

1.35mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

1,4 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistors MOSFET canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 5,82

€ 0,058 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)

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500 - 900€ 0,056€ 5,59
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2500 - 4900€ 0,044€ 4,40
5000+€ 0,042€ 4,16

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P

Courant continu de Drain maximum

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Séries

RU1C002ZP

Type de boîtier

SOT-323

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

9,6 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1V

Tension de seuil minimale de la grille

0.3V

Dissipation de puissance maximum

0,15 W

Tension Grille Source maximum

-10 V, +10 V

Largeur

1.35mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

1,4 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

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