Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
RU1C002ZP
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9,6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
1.35mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Transistors MOSFET canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 5,82
€ 0,058 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 5,82
€ 0,058 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,058 | € 5,82 |
500 - 900 | € 0,056 | € 5,59 |
1000 - 2400 | € 0,046 | € 4,64 |
2500 - 4900 | € 0,044 | € 4,40 |
5000+ | € 0,042 | € 4,16 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ROHMType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
RU1C002ZP
Type de boîtier
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
9,6 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.3V
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
1.35mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit