MOSFET ROHM canal N, TO-3PFM 3,7 A 1700 V, 3 broches

N° de stock RS: 133-2860PMarque: ROHMN° de pièce Mfr: SCT2H12NZGC11
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Documents techniques

Spécifications

Brand

ROHM

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3,7 A

Tension Drain Source maximum

1700 V

Type de boîtier

TO-3PFM

Série

SCT2H12NZ

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.6V

Dissipation de puissance maximum

35 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-6 V, +22 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

5mm

Longueur

16mm

Charge de Grille type @ Vgs

14 nC @ 18 V

Tension directe de la diode

4.3V

Taille

21mm

Détails du produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 67,63

€ 6,763 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)

MOSFET ROHM canal N, TO-3PFM 3,7 A 1700 V, 3 broches
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Paquet de production (Tube)

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Standard - each

Disponible en multiples de 2.

Production -

Disponible en multiples de 2.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 2
10€ 67,63
12€ 81,15
14€ 94,68
16€ 108,20
18€ 121,73
20€ 134,56
22€ 148,01
24€ 161,47
26€ 174,93
28€ 188,38
30€ 201,84
32€ 215,29
34€ 228,75
36€ 242,21
38€ 255,66

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QuantitéPrix unitairePar Tube
10 - 18€ 6,763€ 13,52
20 - 98€ 6,728€ 13,46
100 - 198€ 6,653€ 13,31
200+€ 6,531€ 13,06

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3

Résistance Drain Source maximum

1,5 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

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Si

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