Transistor MOSFET STMicroelectronics canal N, SOT-23 200 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.03mm
Largeur
1.73mm
Taille
1.2mm
Séries
STripFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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N
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Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Tension Grille Source maximum
-18 V, +18 V
Charge de Grille type @ Vgs
1,4 nC @ 5 V
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1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.03mm
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