Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
91 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SCTW70N
Type de conditionnement
Hip247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,021 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 986,36
€ 32,879 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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STMicroelectronicsType de canal
N
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91 A
Tension Drain Source maximum
1200 V
Série
SCTW70N
Type de conditionnement
Hip247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
0,021 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.9V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC