MOSFET STMicroelectronics canal N, D2PAK (TO-263) 80 A 55 V, 3 broches

N° de stock RS: 188-8527Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STB80NF55-06T4
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

80 A

Tension Drain Source maximum

55 V

Type de conditionnement

D2PAK (TO-263)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

6,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

300 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

142 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.5V

Hauteur

4.37mm

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€ 19,59

€ 3,919 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
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25 - 45€ 3,682€ 18,41
50 - 120€ 3,485€ 17,42
125 - 245€ 3,292€ 16,46
250+€ 3,14€ 15,70

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N

Courant continu de Drain maximum

80 A

Tension Drain Source maximum

55 V

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Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

6,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

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Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

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1

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

142 nC @ 10 V

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