Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Séries
STripFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
14,1 nC @ 10 V
Largeur
6.2mm
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 11,08
€ 1,108 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 11,08
€ 1,108 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
10 - 95 | € 1,108 | € 5,54 |
100 - 495 | € 0,836 | € 4,18 |
500 - 995 | € 0,704 | € 3,52 |
1000+ | € 0,568 | € 2,84 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
-16 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Séries
STripFET
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
70 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.6mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
14,1 nC @ 10 V
Largeur
6.2mm
Hauteur
2.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit