MOSFET STMicroelectronics canal P, DPAK (TO-252) 12 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
STripFET
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 253,87
€ 0,502 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
40 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
6.2mm
Longueur
6.6mm
Charge de Grille type @ Vgs
12 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
2.4mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
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