MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 17 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh
Type d'emballage
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
190 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
16.4mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 117,66
€ 2,353 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,353 | € 117,66 |
| 100 - 450 | € 1,947 | € 97,35 |
| 500 - 950 | € 1,896 | € 94,81 |
| 1000 - 4950 | € 1,847 | € 92,33 |
| 5000+ | € 1,80 | € 90,02 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
46 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
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